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Tarjetas PROM


Enviado por College Park
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Resumen: El autor del documento no se responsabiliza del empleo del mismo. Se advierte que es ilegal el uso fraudulento de las tarjetas PROM y que este documento es puramente para fines educativos.


   
  

Indice 

Patillaje. 
Estructura de la memoria. 
Reset. 
Lectura. 
Escritura.

El autor del documento no se responsabiliza del empleo del mismo. Se advierte que es ilegal el uso fraudulento de las tarjetas PROM y que este documento es puramente para fines educativos.

 

Patillaje

 

  5  6  7  8
+--+--+--+--+
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|  \  |  /  |
|   +-+-+---+
+---|       |
|   +-+-+   |
|  /  |  \  |
|  |  |  |  |
+--+--+--+--+
  4  3  2  1
1- GND: Masa lógica.
2- Vpp: Tensión de programación (+21V).
3- Dout: Salida de datos.
4- No utilizada.
5- RST: Reset (activo a nivel bajo).
6- CLK: Reloj (activo en flanco de bajada).
7- Din: Entrada de datos.
8- Vcc: Alimentación (+5V).

Estructura de la memoria

Las tarjetas más habituales contienen en su interior una PROM de 256 bits, organizados en 256 direcciones de 1 bit:

- Bits 0 a 95: datos referidos al fabricante, forman la identificación de la tarjeta (fabricante, valor de la tarjeta, etc.).

- Bits 96 a 255: zona de memoria (aquí estan contenido el saldo de la tarjeta), a 0 si está llena y a 1 conforme se va gastando.

El direccionamiento de la PROM lo realiza un circuito contador interno de 8 bits, de forma que cuando el contador está en la posición n, se puede leer o escribir en dicha dirección.

Para comenzar en la dirección cero debemos introducir una señal de reset, y para avanzar en la posición basta un pulso de reloj (CLK). Hay que señalar que el contador es cíclico y cuando supere la posición 255 pasará a la posición cero.

Reset

- Vpp a +5V.
- Din indiferente.
- RST a 0V.

Lectura

- RST a +5V.
- Dout contiene el dato de la posición de memoria actual.

Escritura

- RST a +5V.
- VPP a +21V.
- Dato a introducir en Din, que apunta a la posición de memoria actual.
- Pulso de reloj.


Enviado por College Park
Contactar http://www.geocities.com/CollegePark


Código ISPN de la Publicación: EpZEEVZZEAymmAvDtr
Publicado Thursday 11 de December de 2003